一.壓降
LDO(低壓降穩(wěn)壓器) 的典型特性便是壓降。因?yàn)樗拿Q以及其縮寫(xiě)由此而來(lái)。
從根本上來(lái)講,壓降它指的是正常的穩(wěn)壓所需要的輸入和輸出之間的電壓差。但是,考慮到各種原因這個(gè)壓差會(huì)發(fā)生一些不可控的細(xì)微的變化。壓降對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)轉(zhuǎn)或者產(chǎn)生有限的電壓余量是非常重要的,下面我們對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)介紹。
壓降的介紹
壓降電壓Vdo的意思是為了實(shí)現(xiàn)正常的穩(wěn)壓需求,我們輸入的電壓Vin必須比輸出的電壓Vout要高出一個(gè)最小壓差 Vdo。參見(jiàn)公式1:VIN ≥ VOUT(nom) + VDO (1)
如果輸入的電壓Vin比很低,我們的LDO,線性穩(wěn)壓器將不會(huì)穩(wěn)出所需輸出的電壓,這種情況時(shí),Vout輸出電壓=輸入電壓Vin-Vdo.
我們以穩(wěn)壓后輸出電壓為3.3V的降壓芯片TPS799等LDO為案例:當(dāng)輸出Vout電流為200mA時(shí),芯片TPS799的最大壓降為175mV。也就是說(shuō)必須輸入電壓要大于3.375V或更高的電壓,它就不會(huì)影響降壓穩(wěn)壓調(diào)節(jié)過(guò)程。但是,當(dāng)輸入電壓小于3.375V的時(shí)侯,LDO芯片TPS799將會(huì)處于壓降狀態(tài)而停止調(diào)節(jié),如下圖所示。
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073718347.jpg)
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073718347.jpg)
如圖,雖然我們要求應(yīng)該將輸出電壓Vout調(diào)節(jié)為3.3V,但是LDO芯片 TPS799 由于沒(méi)有余量電壓來(lái)保持穩(wěn)壓。進(jìn)而,輸出電壓便會(huì)跟隨輸入電壓來(lái)變化。
決定壓降的因素介紹
壓降主要是由低壓降穩(wěn)壓器LDO架構(gòu)的特性來(lái)決定,下面舉例分析。
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073743486.jpg)
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073743486.jpg)
如圖,為一個(gè)PMOS LDO降壓器,上圖為它的架構(gòu),從圖中可以看出如果要調(diào)節(jié)好輸出端電壓Vout,就必須用反饋回路來(lái)把PMOS的DS間的內(nèi)阻Rds控制好。當(dāng)發(fā)現(xiàn)輸入電壓Vin越來(lái)越接近輸出電壓Vout時(shí),誤差放大器便會(huì)調(diào)整PMOS的Vgs電壓,來(lái)使PMOS的導(dǎo)通內(nèi)部更加小,進(jìn)而保持穩(wěn)壓。當(dāng)Vgs調(diào)整到一定程度也就是Vgs(th)達(dá)到飽和狀態(tài)時(shí),PMOS的內(nèi)阻Rds將達(dá)到最小值,此時(shí)可以得到內(nèi)阻Rds*輸出電流Iout=壓降電壓。
但是細(xì)心的你會(huì)發(fā)現(xiàn)還有一個(gè)辦法降低內(nèi)阻Rds,那就是將輸出端Vou的值提高,可以得到Vgs進(jìn)一步拉大,從而實(shí)現(xiàn)需求。
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073805181.jpg)
![LDO DC-DC 區(qū)別](http://m.0731law.cn/uploadfile/2025/0107/20250107073805181.jpg)
如圖,為一個(gè)NMOS LDO降壓器。原理基本和PMOS LDO是一樣的,反饋回路還是控制內(nèi)阻Rds的大小,當(dāng)輸入端Vin越接近輸出電壓Vout時(shí),誤差放大器便會(huì)增加Vgs來(lái)降低內(nèi)阻Rds,進(jìn)而保持穩(wěn)壓。
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