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VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路圖介紹
2023-06-14
VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路圖介紹VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路下圖是由VMOS管組成的電子鎮(zhèn)流器電路，其工作頻率為40KHz，可節(jié)能25%。電阻R1，電容C2，雙
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MOS管靜電擊穿,電壓型,功率型解析
2023-06-14
MOS管靜電擊穿,電壓型,功率型解析MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感
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使用MOS管實(shí)現(xiàn)防電源反接電路介紹
2023-06-14
使用MOS管實(shí)現(xiàn)防電源反接電路介紹使用MOS管實(shí)現(xiàn)的防電源反接電路，在電源正確接入時(shí)，電源正常對(duì)負(fù)載供電。在電源正負(fù)極反接時(shí)，斷開(kāi)負(fù)載電
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MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文解析
2023-06-13
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文解析在大多數(shù)的開(kāi)關(guān)功率應(yīng)用電路中，當(dāng)柵極被驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍，這
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圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩介紹
2023-06-13
圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩介紹SiC MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快，在大電流大電壓工作條件下，開(kāi)關(guān)瞬態(tài)會(huì)產(chǎn)生非常高的電流變化率di dt和電壓變
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MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
2023-06-13
MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹HTRB 高溫反偏測(cè)試高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱
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MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹
2023-06-12
MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹RC熱阻模型的建立如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流
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開(kāi)關(guān)電源上的MOSFET選擇,參數(shù)解析
2023-06-12
開(kāi)關(guān)電源上的MOSFET選擇,參數(shù)解析邏輯開(kāi)關(guān)的行為參數(shù)不管給定項(xiàng)目使用什么邏輯（和模擬）電平，都會(huì)有不同的閾值來(lái)清楚地判定設(shè)備的飽和或
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電路設(shè)計(jì),折疊式共源共柵兩級(jí)放大器介紹
2023-06-12
電路設(shè)計(jì),折疊式共源共柵兩級(jí)放大器介紹 整體電路要求 1GHz，80dB，相位裕度60° 基本滿足上述要求，功耗是1 8v*2 2mA。偏置電路偏置電
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電路噪聲的產(chǎn)生詳解與噪聲抑制介紹
2023-06-08
電路噪聲的產(chǎn)生詳解與噪聲抑制介紹噪聲的產(chǎn)生對(duì)于電子線路中所標(biāo)稱的噪聲，可以概括地認(rèn)為，它是對(duì)目的信號(hào)以外的所有信號(hào)的一個(gè)總稱。最初
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模擬電路,電路噪聲圖文解析
2023-06-08
模擬電路,電路噪聲圖文解析電路中噪聲的描述方法對(duì)于一個(gè)普通的電路，我們?nèi)绾蝸?lái)進(jìn)行噪聲的分析呢？通常我們會(huì)不由自主的想到，通過(guò)之前推
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共源放大器噪聲,差分放大器噪聲解析
2023-06-08
共源放大器噪聲,差分放大器噪聲解析共源放大器噪聲分析如圖差分放大器噪聲分析第一級(jí)差分放大電路分析如圖：在差分對(duì)的噪聲分析中，一定要