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CMOS晶體管的制造工藝流程在IC上制造的最復(fù)雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類型,例如CMOS,BJT,F(xiàn)ET。我們根據(jù)要求選擇在IC上實(shí)施的晶體
功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法功率MOS管即功率MOSFET,具有熱漂移小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)與常規(guī)雙極晶體管不同,MOS管是電壓控制型器件,一般用于小電壓控制大電流的情況,包括開關(guān)電源
FET晶體管的類型與MOS管工作原理應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管,其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱為單極晶體管,因?yàn)樗婕皢屋d波型操
不同類型的晶體管與功能應(yīng)用晶體管是一個(gè)有源元件,并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高和低
如何使用晶體管作為開關(guān)與應(yīng)用晶體管由威廉·肖克利(William Shockley)于1947 年發(fā)明。晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,可用于開關(guān)應(yīng)用,
什么是MOS控制晶閘管與工作應(yīng)用MOS控制晶閘管由VAK Temple開發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器,晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GT
雙極結(jié)型晶體管的工作原理及應(yīng)用雙極結(jié)型晶體管使用電子和空穴這兩個(gè)電荷載流子。諸如場(chǎng)效應(yīng)晶體管之類的單極晶體管僅使用一種電荷載流子。
晶體管作為放大器-電路圖與工作原理晶體管是三端子半導(dǎo)體器件,端子是E(發(fā)射極),B(基極)和C(集電極)。該晶體管可以在三個(gè)不同的區(qū)域
IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性IGBT是半導(dǎo)體器件,IGBT的縮寫是絕緣柵雙極晶體管。它由具有大范圍雙極性載流能力的三個(gè)端子組成。IGBT的設(shè)
晶體管用作開關(guān)-雙極結(jié)晶體管-BJT作為開關(guān)晶體管用作開關(guān)或雙極結(jié)晶體管或BJT作為開關(guān)的工作原理:當(dāng)開關(guān)處于OFF位置時(shí),開關(guān)提供開路(無
共源共柵放大器的工作原理與應(yīng)用共源共柵放大器用于增強(qiáng)模擬電路的性能。共源共柵的利用是一種常見的方法,可用于晶體管以及真空管的應(yīng)用中