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MOS的6大失效原因與解決方案MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—
MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的SiOz-SiMoS二極管對(duì)所有的MOS二極管而言,金屬—Si02 -Si為最受廣泛研究.Si0—Si系統(tǒng)的電
雙極型晶體管半導(dǎo)體圖晶體管(是轉(zhuǎn)換電阻transfer rcsistor的縮寫)是一個(gè)多重結(jié)的半導(dǎo)體器件,通常晶體管會(huì)與其他電路器件整合在一起,以
可控硅器件與相關(guān)功率器件可控硅器件是一種非常重要的功率器件,可用來作高電壓和高電流的控制.可控硅器件主要用在開關(guān)方面,使器件從關(guān)閉
快恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管的開關(guān)電源快恢復(fù)及超快恢復(fù)極管在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中,一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管,
推挽式開關(guān)電源原理圖簡介在雙激式開關(guān)電源中,推挽式開關(guān)電源是最常用的開關(guān)頻率電源。因?yàn)橥仆焓介_關(guān)電源中的兩個(gè)操控開關(guān)管K1 和輪流替
晶體管的驅(qū)動(dòng)MOSFET管知識(shí)MOSFET管柵極驅(qū)動(dòng)電路如上所述 ,柵極驅(qū)動(dòng)電路必須能輸出電流 ,即成為 源。同時(shí),為了提供柵極反向電壓,MO
驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路圖其他類型的基極驅(qū)動(dòng)電路在過去的幾年里 ,出現(xiàn)了許多專門用于驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路 。它們大多應(yīng)用于低功率場
雙極型晶體管的直流增益曲線圖對(duì)于MOS管雙極型晶體管 ,由于電流增益隨輸出電流的上升急劇下降 ,當(dāng)輸出電流顯著增加時(shí), 其基極電流的
MOSFET柵極電壓圖漏極電流上升和下降太快會(huì)在地線和電源線上引起較大的 Ldi dt 尖峰電壓并在鄰近的線路或節(jié)點(diǎn)上輯合出大的 CdV dt j良
應(yīng)用磁放大器關(guān)斷輔輸出迄今為止 ,磁放大器只是用來調(diào)理輔輸出電壓 。它經(jīng)過控制初始磁通密度 Bl 來控制輸 出。Bl 越低,關(guān)斷時(shí)間
弦半波電壓圖開關(guān)頻率和 Ll 電感值的計(jì)算在圖 15 12 C c) 中,當(dāng)Ql 導(dǎo)通時(shí),L1 的電壓為飛 ,電感 L1 的電流按斜率 dl f dt