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場(chǎng)效應(yīng)管原理-場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型與其參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道
CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展趨勢(shì)介紹自從1947年第一支晶體管的發(fā)明,半導(dǎo)體集成電路在二十世紀(jì)的后三十年有了一個(gè)極大的發(fā)展。這個(gè)發(fā)展極大的推
三極管開(kāi)關(guān)電路與場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候,三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路有著以下四種區(qū)別:首先是三極管是用電流
一種實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路3 3V--5V當(dāng)你使用3 3V的單片機(jī)的時(shí)候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3 3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3 3V的情況,這里介紹一個(gè)
介紹幾款場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖場(chǎng)效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出,500W。場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅(qū)動(dòng),在驅(qū)動(dòng)級(jí)上有些不一樣,沒(méi)弄過(guò)場(chǎng)管功
超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)介紹平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)
開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用介紹寄生二極管由來(lái)是由生產(chǎn)工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法及經(jīng)驗(yàn)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中如何區(qū)別與選用三極管及MOS管三極管的工作原理:三極管是電流放大器件,有三個(gè)極,分別叫做集電極C,基極B,發(fā)射極E。分成NP
解析場(chǎng)效應(yīng)管mos管vgs電壓過(guò)大有什么后果常遇到MOS管Vgs電壓過(guò)大會(huì)損壞管子,但是從原理上看,似乎不然呀?當(dāng)vGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不
開(kāi)關(guān)電源MOS管如何選在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中,開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷和開(kāi)通時(shí)間影響著開(kāi)關(guān)電源的工作效率,而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用,那么MOS管的
萬(wàn)用表測(cè)試MOS管使用與更換在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步,出廠的篩選、檢測(cè)都很嚴(yán)格,我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、