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可控硅dIT dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)及測(cè)量摘要:dIT dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù),過(guò)高的dIT dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效,故設(shè)計(jì)一個(gè)能
電容器選用的基本知識(shí)介紹三 電容器的種類電容器由于電極的材質(zhì) 介質(zhì)和構(gòu)造的不同 有許許多多的種類 同時(shí)由于新材質(zhì)與介質(zhì)的出現(xiàn) 市上
單電源供電回路中怎么獲得正負(fù)電源單電源供電回路中獲得正負(fù)電源的特殊方圖1所示極性變換電路的核心器件為普通的非門(mén)。由于輸入端與輸出端
超級(jí)電容器儲(chǔ)能技術(shù)與其應(yīng)用超級(jí)電容器,也叫電化學(xué)電容器,是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型儲(chǔ)能元件。1957年,美國(guó)的Becker首先提出了可
校準(zhǔn)示波器的具體步驟介紹1)測(cè)試步驟(a)插好示波器的電源線,打開(kāi)電源開(kāi)關(guān),電源指示燈亮,待出現(xiàn)掃描線后,調(diào)節(jié)亮度到適當(dāng)?shù)奈恢?,調(diào)節(jié)
集成電路的種類介紹在電子行業(yè),集成電路的應(yīng)用非常廣泛,每年都有許許多多通用或?qū)S玫募呻娐繁谎邪l(fā)與生產(chǎn)出來(lái),本文將對(duì)集成電路的知識(shí)
怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容通常認(rèn)為開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容越大越好,其實(shí)這種觀點(diǎn)是不全面的,影響開(kāi)關(guān)電源直流電壓輸出品質(zhì)的最重要
圖解替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應(yīng)用在新能源及新能源汽車(chē)運(yùn)用中,電容器在能源控制、電源管理、電源逆變以及直流交流變換等系
用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-要怎么解決因?yàn)镸OSFET是單極性器件,因此寄生電容是開(kāi)關(guān)瞬態(tài)唯一的限制因素。電荷平衡原理降低了特定面積的導(dǎo)
電源設(shè)計(jì)-MOS管驅(qū)動(dòng)電路圖解MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合
超大容量電容器(EDLC)知識(shí)介紹超大容量電容器是近年來(lái)開(kāi)始被廣泛關(guān)注的新型電子元器件。它不同于傳統(tǒng)的電解電容器,它只有一個(gè)固體電極板,
PCB板布局布線基本規(guī)則詳情PCB又被稱為印刷電路板(Printed Circuit Board),它可以實(shí)現(xiàn)電子元器件間的線路連接和功能實(shí)現(xiàn),也是電源電路