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三電平全橋LLC電路原理解析三相模塊的母線電壓可以達(dá)到800V,如果DCDC仍然采用傳統(tǒng)的兩電平拓?fù)?,那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。
怎么判斷NMOS管與PMOS管MOS管的管腳有三個(gè):源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain),但是實(shí)際工程應(yīng)用中,經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、
電平轉(zhuǎn)換電路怎么實(shí)現(xiàn)VDD和MCU之間串口通信先說(shuō)一說(shuō)這個(gè)電路的用途:當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V;MCU2工作電壓3 3
GS寄生電容的缺點(diǎn)介紹如下是一個(gè) NMOS 的開(kāi)關(guān)電路,階躍信號(hào) VG1 設(shè)置 DC 電平 2V,方波(振幅 2V,頻率 50Hz),T2 的開(kāi)啟電壓
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管與PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護(hù)是重要保護(hù)之一,二極管的單向?qū)ㄌ匦允苟O管作為了
2N7002電平轉(zhuǎn)換電路的工作過(guò)程介紹如圖所示是常用的分立器件搭的電平轉(zhuǎn)換電路,具體工作過(guò)程如下:1、當(dāng)Net1輸出高電平時(shí),MOS管Q1的Vgs=0
NMOS管的工作原理與導(dǎo)通特性介紹NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們
開(kāi)關(guān)管,二極管,穩(wěn)壓反饋回路原理解析開(kāi)關(guān)管的選擇一般選用N 型mos管作為開(kāi)關(guān)管(下圖為電流波形)漏源間擊穿電壓:在開(kāi)關(guān)管截止時(shí),將會(huì)承
嵌入式硬件開(kāi)發(fā)中MOS管保護(hù)方法介紹在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個(gè)問(wèn)題就是電源的保護(hù),往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開(kāi)關(guān)電路介紹對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?我們一般會(huì)用一個(gè)三極
三極管是怎么實(shí)現(xiàn)電子開(kāi)關(guān)功能的三極管的基本原理三極管和MOS管都可以作為電子開(kāi)關(guān)使用,三極管屬于電流控制元器件,跟MOS管不同,MOS管屬
MOS晶體管的工作原理介紹MOS管的全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如圖所示這是一個(gè)N溝道的MOS晶體管,一共有三個(gè)級(jí),漏極,柵極、源極