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MOS管應(yīng)用,MOS管與三極管的區(qū)別,MOS管控制電機(jī)分析
2021-09-11
MOS管應(yīng)用,MOS管與三極管的區(qū)別,MOS管控制電機(jī)分析開關(guān)管：三極管 和 MOS管，當(dāng)三極管上通過(guò)的電流比較大時(shí)(功耗比較大)，這時(shí)我們就需要
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MOS管的引腳圖詳解
2021-09-10
MOS管的引腳圖詳解MOS管的引腳，G、S、D分別代表什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半
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MOS管原理用法詳情介紹
2021-09-10
MOS管原理用法詳情介紹一、 一句話MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電
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mos管的驅(qū)動(dòng)電路介紹
2021-09-10
mos管的驅(qū)動(dòng)電路介紹注意Q10的基極和D5的陰極直接相連Q10和Q9是輪流導(dǎo)通。PWM信號(hào)為正的時(shí)候，Q9導(dǎo)通，因?yàn)镈5，Q10的基極電位比發(fā)射極電位
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MOS管開關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)解析
2021-09-09
MOS管開關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)解析一、MOSFET的開通過(guò)程MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）
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選適合的場(chǎng)效應(yīng)管,訣竅介紹
2021-09-09
選適合的場(chǎng)效應(yīng)管,訣竅介紹一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來(lái)越高，在一些電子產(chǎn)
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的四大注意事項(xiàng)解析
2021-09-09
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的四大注意事項(xiàng)解析場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的特別應(yīng)用介紹
2021-09-08
場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的特別應(yīng)用介紹在電子元器件行業(yè)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的神器，那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的具體參數(shù)詳解
2021-09-08
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的具體參數(shù)詳解電子元器件市場(chǎng)中，以場(chǎng)效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展
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MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)系詳情
2021-09-08
MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)系詳情電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS
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怎么判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向
2021-09-07
怎么判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間
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場(chǎng)效應(yīng)管的可變電阻區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)知識(shí)理解
2021-09-07
場(chǎng)效應(yīng)管的可變電阻區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)知識(shí)理解場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)、截止區(qū)、可變電阻區(qū)在這里插入圖片描述場(chǎng)管飽和區(qū)就是放大區(qū)，輸出電流只受控