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常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動電路介紹
2022-03-24
常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動電路介紹不對稱半橋驅(qū)動電路介紹及分析本文介紹了幾種常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動電路，分析了各電路的優(yōu)點和適
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MOS管電路加反向電壓導通原因詳解
2022-03-24
MOS管電路加反向電壓導通原因詳解我們在MOS管廠家提供的datasheet中看到的功率MOSFET的原理圖符號都會包括一個寄生器件——體二極管。體二
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MOSFET開關使用共源共柵拓撲消除米勒效應分析
2022-03-24
MOSFET開關使用共源共柵拓撲消除米勒效應分析米勒電容如何限制高頻放大以米勒效應為例。在20世紀20年代，美國電子工程師約翰·彌爾頓·米勒...
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直流電源,設計準確的直流電源圖解
2022-03-23
直流電源,設計準確的直流電源圖解電池測試、電化學阻抗譜和半導體測試等測試和測量應用需要準確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化
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運算放大器,運算放大器datasheet參數(shù)中文詳解
2022-03-23
運算放大器,運算放大器datasheet參數(shù)中文詳解集成運放的參數(shù)較多，其中主要參數(shù)分為直流指標和交流指標，外加所有芯片都有極限參數(shù)。下面分
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電源電路詳解-降壓電路(DC DC）
2022-03-23
電源電路詳解-降壓電路(DC DC）降壓電路DC to DC拓撲結(jié)構(gòu)1、降壓拓撲如上圖，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓撲結(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC
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介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
2022-03-22
介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)值?；旧瞎β室驍?shù)可以衡量電力被有效利用的程度，當功率因數(shù)值越大，代表其電力利用率越高
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介紹幾種一鍵開關機電路方案詳解
2022-03-22
介紹幾種一鍵開關機電路方案詳解方案一一鍵開關機電路分析如下：電路工作流程如下：A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導通，7805輸入電壓在8 9V左右
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N溝道,P溝道MOSFET開關電路圖介紹
2022-03-22
N溝道,P溝道MOSFET開關電路圖介紹NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬氧化物半導體）。在一塊摻雜濃度較低的P型硅
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氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹
2022-03-21
氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位
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SiC MOSFET實時結(jié)溫監(jiān)測電路圖文分析
2022-03-21
SiC MOSFET實時結(jié)溫監(jiān)測電路圖文分析碳化硅設備或設備因在不久的將來有可能在電力電子設備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應用）中替代硅的傳統(tǒng)設備
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驅(qū)動輸入端負壓抑制與尖峰形成原因介紹
2022-03-21
驅(qū)動輸入端負壓抑制與尖峰形成原因介紹許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅(qū)動功率M