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深圳市烜芯微科技有限公司
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解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹
2022-05-07
解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹放大電路中總是存在一些電抗性元件，如電容、電感、電子器件的極間電容以及接線電容與接線電感等。因此，
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碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹
2022-05-07
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹電池供電的便攜設(shè)備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)
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關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
2022-05-07
關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電
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CMOS功率開關(guān)反向電壓保護(hù)電路介紹
2022-05-06
CMOS功率開關(guān)反向電壓保護(hù)電路介紹CMOS 電路具有成本低、功耗低、速度快等優(yōu)點(diǎn)。各種接口電路，如 USB ， IEEE 1394 ， RS422 485等
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解析二極管反向擊穿電壓是多少
2022-05-06
解析二極管反向擊穿電壓是多少二極管反向擊穿電壓一般是工作電壓2-3倍。二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ?
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二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析
2022-05-06
二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析1 二極管整流電路及故障處理利用二極管的正向?qū)?、反向截止的特性，可以?shí)現(xiàn)電路的整流。二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)
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NMOS與PMOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)圖文介紹
2022-05-05
NMOS與PMOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)圖文介紹在實(shí)際項(xiàng)目中，我們基本都用增強(qiáng)型，分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易制
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MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)知識(shí)介紹
2022-05-05
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)知識(shí)介紹什么是MOS管MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金
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共集電極放大電路的特點(diǎn)和識(shí)圖介紹
2022-05-05
共集電極放大電路的特點(diǎn)和識(shí)圖介紹共集電極放大電路的基本特點(diǎn)是放大電流，輸出電壓的幅度沒有放大，常用作緩沖放大電路，輸出信號(hào)的相位與
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MOS管并聯(lián)二極管的作用深度解析
2022-05-04
MOS管并聯(lián)二極管的作用深度解析MOS管并聯(lián)二極管分析下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，這個(gè)
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三種晶體管接法比較解析
2022-05-04
三種晶體管接法比較解析在電子電路中，放大的對(duì)象是變化量，放大的本質(zhì)是在輸入信號(hào)的作用下，通過有源元件（晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管）對(duì)直流電源
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CMOS反相器中的噪聲容限解析
2022-05-04
CMOS反相器中的噪聲容限解析噪聲裕度和CMOS特性在電氣工程領(lǐng)域，可以代數(shù)地將無噪聲的 壞情況下的輸入電平代數(shù)加到不引起輸出電壓偏離允許