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    30N02場(chǎng)效應(yīng)管,30N02參數(shù)30A 20V TO-252,30N02中文資料
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-11-20 18:06:20
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    30N02場(chǎng)效應(yīng)管,30N02參數(shù)30A 20V TO-252,30N02中文資料
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    30N02
     
    30N02 TO-252封裝參數(shù):點(diǎn)擊查看30N02
    30N02場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
    30N02
    封裝類型:TO-252
    極性:NPN
    漏極電流:30A
    功率耗散:5W
    反向傳輸電容Crss:105pF
    柵極源極擊穿電壓:±20V
    擊穿電壓:20V
    存儲(chǔ)溫度:-55℃~+150℃
    引腳數(shù):3Pin
    導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V:Typ 12mΩ Max 20mΩ
    導(dǎo)通電阻ID=4.7A,VGS=2.5V:Typ 17mΩ Max 30mΩ
    工作溫度:-55℃~+150℃
    安裝類型:SMT
    二、作用與應(yīng)用
    30N02場(chǎng)效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動(dòng),實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制。由于其出色的電氣性能,30N02廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
    電源管理:30N02可用于開關(guān)電源的開關(guān)控制部分,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
    信號(hào)放大:在信號(hào)放大電路中,30N02通過其高性能和可調(diào)控的電流特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的精準(zhǔn)放大。
    電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于低電壓、低電流的小型伺服電機(jī)控制或功率MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
    邏輯電路:30N02可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能,如與、或、非等邏輯門。
    負(fù)載驅(qū)動(dòng):30N02可用于驅(qū)動(dòng)小功率負(fù)載,如繼電器、LED等。
    三、TO-252封裝特點(diǎn)
    30N02采用TO-252封裝,這是一種表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝,具有以下特點(diǎn):
    封裝結(jié)構(gòu):TO-252封裝屬于表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝之一,也被稱為D-Pak封裝。TO-252具有更小的封裝尺寸和高功率密度,能夠有效節(jié)省電路板空間,適合于大規(guī)模集成電路的應(yīng)用。
    優(yōu)異的導(dǎo)電性能:低壓MOS管TO-252最顯著的特點(diǎn)之一是其出色的導(dǎo)電性能。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在低電壓下的高效率運(yùn)行,從而減少了能量的損耗。這使得它在電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中非常受歡迎。
    高散熱性能:MOSFET在高負(fù)載運(yùn)行時(shí)容易產(chǎn)生大量熱量,TO-252封裝設(shè)計(jì)了更大的接地面積,更有利于散熱管理。通過金屬背面的散熱,提高了MOS管在高功率應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
    耐壓與耐流特性:低壓MOS管TO-252通常具有較高的耐壓和耐流特性,這是它能夠在嚴(yán)酷的工業(yè)環(huán)境中長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。
    30N02場(chǎng)效應(yīng)管 TO-252封裝尺寸:
    30N02
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