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  • 場效應(yīng)管組成的推挽電路和工作原理解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-09-11 20:28:17
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    場效應(yīng)管組成的推挽電路和工作原理解析
    1、P-MOS 管和 N-MOS管組成的推挽電路
    推挽電路是由兩個(gè)三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,電路工作時(shí),兩只對稱的開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小、效率高、既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。
    芯片的GPIO具有了“推挽輸出”和“開漏輸出”兩種模式,現(xiàn)在來分析下推挽輸出原理。
    場效應(yīng)管推挽電路
    推挽電路
    2、工作原理
    VOUT為GPIO口的輸出,當(dāng)VIN為高電平時(shí),上邊的PMOS管截止,NMOS管導(dǎo)通,對外VOUT輸出低電平
    當(dāng)VIN為低電平時(shí),上邊的PMOS管導(dǎo)通,NMOS管截止,對外VOUT輸出高電平
    兩個(gè)MOS管只有一個(gè)導(dǎo)通,當(dāng)引腳高低電平切換時(shí),兩個(gè)管子輪流導(dǎo)通,P 管負(fù)責(zé)灌電流,N 管負(fù)責(zé)拉電流,使其負(fù)載能力和開關(guān)速度都比普通的方式有很大的提高。
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