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  • 反激拓?fù)渲蠱OS管Vds波形圖詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-13 17:42:35
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    反激拓?fù)渲蠱OS管Vds波形圖詳解
    反激拓?fù)潆娐返幕揪€路如下:
    反激 MOS管 Vds波形
    DC IN:市電經(jīng)過(guò)整流濾波后的直流輸入
    Drive:控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào),控制Q1進(jìn)行ON/OFF
    CS:控制芯片對(duì)Q1電流的采樣
    AGND:初級(jí)側(cè)的地
    DC OUT:輸出
    GND:次級(jí)側(cè)的地
    2. 兩種工作模式DCM(斷續(xù))與CCM(連續(xù))
    (1)DCM與CCM模式的判斷依據(jù)
    DCM和CCM的判斷,并非只是單純按照初級(jí)電流是否連續(xù)來(lái)進(jìn)行判斷,而是要根據(jù)初,次級(jí)的電流合成來(lái)判斷的。只要初,次級(jí)電流不是同時(shí)為零,那就是CCM模式。二如果存在初,次級(jí)電流同時(shí)為零的狀態(tài),那就是DCM模式。如果是介于兩者之間的,就是BCM模式。
    (2)兩種模式在波形上的區(qū)別
    A.變壓器初級(jí)電流波形,DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
    B.次級(jí)整流管電流波形,同理,DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
    C.MOS管的Vds波形,DCM模式下,在下一個(gè)周期開(kāi)通前,Vds會(huì)從Vin+Vf這個(gè)平臺(tái)降下來(lái)發(fā)生阻尼震蕩(Vf次級(jí)反射到原邊的電壓);CCM模式下,在下一個(gè)周期開(kāi)通前,Vds一直維持在Vin+Vf的平臺(tái)上。
    因此可以很容易從波形上看出來(lái)反擊電源是工作在DCM還是CCM狀態(tài)。
    反激 MOS管 Vds波形
    3. MOS管開(kāi)通與關(guān)斷瞬間的Vds波形分析
    (1)DCM模式
    反激 MOS管 Vds波形
    A. 從上面MOS管的波形可以看出,在MOS關(guān)斷時(shí),MOS上的尖峰電壓遠(yuǎn)超過(guò)Vin+Vf, 這是因?yàn)樽儔浩鞯某跫?jí)有漏感Lk,漏感的能量是不會(huì)通過(guò)磁芯耦合到次級(jí)的。
    MOS在關(guān)斷的過(guò)程中,漏感的電流也是不能突變的,而漏感的電流變化也會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì), 這個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)因?yàn)闊o(wú)法被次級(jí)耦合嵌位,所以電壓會(huì)沖得很高。
    為了避免MOS管被這個(gè)尖峰電壓擊穿損壞,一般設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)在初級(jí)側(cè)加上一個(gè)RCD吸收緩沖電路,把漏感的能量先存儲(chǔ)在電容(C)上,然后在通過(guò)電阻(R)消耗掉。
    B. 當(dāng)變壓器次級(jí)電流降到零時(shí),磁芯的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)榇渭?jí)整流管電流 降到了零,二極管也就自動(dòng)截止了,次級(jí)相當(dāng)于開(kāi)路狀態(tài),輸出電壓不在發(fā)射到初級(jí)。 
    由于此時(shí)的MOS管上Vds電壓高于輸入電壓Vin,所以在電壓差的作用下,MOS管的 結(jié)電容和初級(jí)點(diǎn)感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS管的結(jié)電容放電。
    Vds電壓開(kāi)始下降, 經(jīng)過(guò)1/4個(gè)諧振周期后又開(kāi)始上升。由于RCD嵌位電路以及其他寄生電阻的存在,這 個(gè)振蕩時(shí)個(gè)阻尼振蕩,幅度會(huì)越來(lái)越小。
    (2)CCM模式
    反激 MOS管 Vds波形
    在CCM模式下,MOS管關(guān)斷的尖峰與DCM中產(chǎn)生的原理是一樣的,只是少了后面的振蕩而已。
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