驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門(mén)極電壓控制的開(kāi)關(guān)。當(dāng)門(mén)極電壓大于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器件就會(huì)被開(kāi)通；而當(dāng)門(mén)極電壓低于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器件就會(huì)被關(guān)斷。
但在實(shí)際的應(yīng)用中，由于器件及外圍線路寄生參數(shù)的影響，會(huì)導(dǎo)致原本關(guān)斷的功率器件會(huì)被誤開(kāi)通。
圖 1. 米勒效應(yīng)引起的誤開(kāi)通
圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來(lái)的誤開(kāi)通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓快速的上升產(chǎn)生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產(chǎn)生位移電流( igd)。這個(gè)位移電流流經(jīng) Rg, M2 后就會(huì)在 Vg上產(chǎn)生一個(gè)電壓尖峰 (Vspk)。
如果這個(gè)電壓尖峰超過(guò)了 MOSFET 的開(kāi)通閾值，MOSFET 就會(huì)被開(kāi)通，從而導(dǎo)致電路直通甚至損壞。
還有一種誤開(kāi)通是由于線路上的寄生電感引起的，如圖2所示。Ls 是MOSFET 源極上的寄生電感。
當(dāng) MOSFET 快速關(guān)斷時(shí)，電流（ids）迅速的減小產(chǎn)生較高的 di/dt，從而在 Ls 的兩端產(chǎn)生一個(gè)負(fù)的電壓（VLS）。這個(gè)VLS電壓如果超過(guò)了 MOSFET 的門(mén)極閾值，MOSFET 就會(huì)被誤開(kāi)通。
圖 2. 寄生電感引起的誤開(kāi)通
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