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  • MOS管靜態(tài)功耗圖文詳解,計算教程
    • 發(fā)布時間:2022-08-08 18:15:52
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    MOS管靜態(tài)功耗圖文詳解,計算教程
    MOS管靜態(tài)功耗步驟
    如下圖所示的NMOS反相器,現(xiàn)在要計算其靜態(tài)功耗。
    MOS管 靜態(tài)功耗
    當輸入信號為高電平時,NMOS閉合,但是又不是一個理想的開關,所以有開關電阻RON。
    MOS管 靜態(tài)功耗
    所以,當輸入為高電平時,靜態(tài)功耗為下圖所示:
    MOS管 靜態(tài)功耗
    當輸入為低電平時,此時NMOS是理想的斷開,此時電路如下圖所示。
    MOS管 靜態(tài)功耗
    由于電路中沒有電流,所以功耗為0。
    MOS管 靜態(tài)功耗
    所以對于本有NMOS構成的反相器而言,靜態(tài)功耗為:
    MOS管 靜態(tài)功耗
    當忽略掉該直流導通電阻RON時,則靜態(tài)功耗為:
    MOS管 靜態(tài)功耗
    如何理解mosfet靜態(tài)功耗低,三極管功耗為什么又比mos管功耗高,速度比mos管慢?
    功耗是因為三極管做開關時,要一個Ib維持。而mos管是壓控device,基本上不消耗電流。
    速度是因為,mos管壓控時,得等大gate上電荷積累到vth后,電路才導通;而三極管是電流控制,導通時間比mos管的小的多。
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