開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰
首先來(lái)看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論）
Vds=Vin+n*Vo+Vspike
=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5
這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義：
1、Lk是變壓器漏感（實(shí)際還應(yīng)包含PCB寄生電感）；
2、C1為RCD鉗位電容（實(shí)際還應(yīng)包含MOS DS兩端的電容，一般遠(yuǎn)小于C1，故忽略）。
降低開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰--如圖：
對(duì)于大家碰到的開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰問(wèn)題，90%以上可以采用圖中的方法解決，不再為電壓尖峰煩惱。
針對(duì)本文總結(jié)：
1、本文目的是針對(duì)反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題進(jìn)行定性分析，從而為降低此尖峰提供指導(dǎo)方向，并不是要去計(jì)算它。
可能很多人，不知道其的復(fù)雜，都希望用公式計(jì)算，這里是很難精確計(jì)算的，因?yàn)橛绊懸蛩靥?，要?jì)算也需要做一些假設(shè)和處理。
2、根據(jù)上圖，相信可以解決大部分Vds尖峰電壓?jiǎn)栴}。
3、如果圖中采用的方法還解決不掉，就需要更加細(xì)化，可以采用以下幾個(gè)整改方向：
A、layout走線優(yōu)化（功率回路盡量短，使pcb電感盡量?。煌瑫r(shí)也注意RCD的走線，這里除了會(huì)影響尖峰，也會(huì)影響傳導(dǎo)的高頻段和輻射）；
B、調(diào)整RCD中的D；（需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射）
C、調(diào)整RCD中的R；（需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射）
D、一般Rsense到IC CS pin都有個(gè)RC，調(diào)整RC時(shí)間常數(shù)；（需要重新確認(rèn)過(guò)功率點(diǎn)）
E、調(diào)整副邊二極管的吸收參數(shù)。（需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射）
根據(jù)圖一，加上以上的方法，基本上可以解決所有電壓尖峰問(wèn)題。
對(duì)于反激的大部分應(yīng)用，用600V的MOS就夠了。當(dāng)然了，有特殊要求，如有較大裕量要求的，可能就要用更高耐壓的MOS了，但一般對(duì)效率不利。
實(shí)測(cè)的MOS Vds的波形：
圖一：尖峰電壓1>尖峰電壓2
圖二：尖峰電壓1<尖峰電壓2
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