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  • 三極管電路原理與選擇
    • 發(fā)布時間:2021-08-30 17:13:39
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    三極管電路原理與選擇
    三極管基礎(chǔ)介紹:
    當(dāng)集電極(N)電壓高于基級(P)電壓時,基級和集電極構(gòu)成的pn結(jié)是反向的,此時叫集電極反偏;
    當(dāng)基級(P)電壓高于發(fā)射極(N)電壓時,基級和發(fā)射極構(gòu)成的pn結(jié)是正向的,此時叫發(fā)射極正偏;
    當(dāng)三極管的發(fā)射極正偏,集電極反偏時,三極管工作在放大狀態(tài);
    對于NPN管,它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e (Emitter)、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
    當(dāng)b點電位高于e點電位零點幾伏時,發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而C點電位高于b點電位幾伏時,集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源Ec要高于基極電源Eb。
    在制造三極管時,有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量。
    這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電流子。
    三極管的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
    三極管是一種電流放大器件,但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/div>
    放大原理
    1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子
    電源Ub經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上,發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成發(fā)射極電流Ie。同時基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個電流,因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。
    2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合
    電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散,被集電結(jié)電場拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因為基區(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復(fù)合,擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
    3、集電區(qū)收集電子
    由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散,同時將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會產(chǎn)生漂移運(yùn)動,流向基區(qū)形成反向飽和電流,用Icbo來表示,其數(shù)值很小,但對溫度卻異常敏感。
    三極管電路參數(shù)
    V(BR)CBO
    e極開路,c-b結(jié)的反向擊穿電壓。此時流經(jīng)c-b極的是ICBO。當(dāng)反向電壓VCB增至一定程度時,ICBO急劇增大,最后導(dǎo)致?lián)舸?/div>
    (2) V(BR)CEO--b極開c-e極之間的反向擊穿電壓。
    此時流經(jīng)c-e極的是ICEO。當(dāng)反向電壓VCE增加到ICEO開始上升時的VCE就是V(BR)CEO。應(yīng)該注意,在此情況下,當(dāng)集電結(jié)開始擊穿時,IC增大,同時發(fā)射結(jié)分到的正向電壓增大,使e區(qū)注入b區(qū)的電子增多,IE增大。IE的增大又將使IC進(jìn)一步增大。所以,這里有一個培增效應(yīng),而最后使c-e極之間擊穿電壓V(BR)CEO要比V(BR)CBO小即V(BR)CEO<V(BR)CBO。
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