靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當成熟，為了模擬分析靜電事件，設計了很多靜電放電模型。
常見的靜電模型有：人體模型（HBM），帶電器件模型，場感應模型，場增強模型，機器模型和電容耦合模型等。芯片級一般用 HBM 做測試，而電子產(chǎn)品則用 IEC 6 1000-4-2 的放電模型做測試。為對 ESD 的測試進行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標準方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴格的瞬變沖擊抑制標準；電子產(chǎn)品必須符合這一標準之后方能銷往歐共體的各個成員國。
因此，大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2 看作是 ESD 測試的事實標準。我國的國家標準（GB/T 17626.2-1998）等同于 I EC 6 1000-4-2。大多是實驗室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2 的標準，分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。
IEC 61000-4-2 的 靜電放電的波形如圖 2，可以看到靜電放電主要電流是一個上升沿在 1nS 左右的一個上升沿，要消除這個上升沿要求 ESD 保護器件響應時間要小于這個時間。靜電放電的能量主要集中在幾十 MHz 到 500MHz，很多時候我們能從頻譜上考慮，如濾波器濾除相應頻帶的能量來實現(xiàn)靜電防護。其放電頻譜如下，這個圖是我自己畫的，只能定性的看，不能定量。
IEC 61000-4-2 規(guī)定了幾個試驗等級，目前手機 CTA 測試執(zhí)行得是 3 級，即接觸放電 6KV，空氣放電 8KV。很多手機廠家內(nèi)部執(zhí)行更高的靜電防護等級。
當集成電路（ IC ）經(jīng)受靜電放電（ ESD）時，放電回路的電阻通常都很小，無法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時，放電回路的電阻幾乎為零，造成高達數(shù)十安培的瞬間放電尖峰電流，流入相應的 IC 管腳。瞬間大電流會嚴重損傷 IC ，局部發(fā)熱的熱量甚至會融化硅片管芯。ESD 對 IC 的損傷還包括內(nèi)部金屬連接被燒斷，鈍化層受到破壞，晶體管單元被燒壞。
ESD 還會引起 IC 的死鎖（ LATCHUP）。這種效應和 CMOS 器件內(nèi)部的類似可控硅的結(jié)構(gòu)單元被激活有關(guān)。高電壓可激活這些結(jié)構(gòu)，形成大電流信道，一般是從 VCC 到地。串行接口器件的死鎖電流可高達 1A 。死鎖電流會一直保持，直到器件被斷電。不過到那時， IC 通常早已因過熱而燒毀了。
電路級 ESD 防護方法
1、并聯(lián)放電器件
常用的放電器件有 TVS，齊納二極管，壓敏電阻，氣體放電管等。如圖
1.1、齊納二極管（ Zener Diodes ，也稱穩(wěn)壓二極管 ） ：利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護 ESD 敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容，這對于高速信號（例如 500MHz）而言，會引起信號畸變。齊納二極管對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。
1.2、瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)：TVS 是一種固態(tài)二極管，專門用于防止 ESD 瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比， TVS 二極管 P/N 結(jié)面積更大，這一結(jié)構(gòu)上的改進使 TVS 具有更強的高壓承受能力，同時也降低了電壓截止率，因而對于保護手持設備低工作電壓回路的安全具有更好效果。
TVS 二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積，可以處理閃電和 ESD 所引起的高瞬態(tài)電流。TVS 也會有結(jié)電容，通常 0.3 個 pF 到幾十個 pF。TVS 有單極性的和雙極性的，使用時要注意。手機上用的 TVS 大約 0.01$，低容值的約 2-3 分$。
1.3、多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件 (MLV)：大陸一般稱為壓敏電阻。MLV 也可以進行有效的瞬時高壓沖擊抑制，此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現(xiàn) ) 關(guān)系，截止電壓可達最初中止電壓的 2 ～ 3 倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護，如電源回路，按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約 0.0015$,大約是 TVS 價格的 1/6，但是防護效果沒有 TVS 好，且壓敏電阻有壽命老化。
2、串聯(lián)阻抗
一般可以通過串聯(lián)電阻或者磁珠來限制 ESD 放電電流，達到防靜電的目的。如圖。如手機的高輸入阻抗的端口可以串 1K 歐電阻來防護，如 ADC，輸入的 GPIO，按鍵等。不要擔心 0402 的電阻會被打壞，實踐證明是打不壞的。這里不詳細分析。用電阻做 ESD 防護幾乎不增加成本。如果用磁珠，磁珠的價格大 約 0.002$,和壓敏電阻差不多。
3、增加濾波網(wǎng)絡
前面提到了靜電的能量頻譜，如果用濾波器濾掉主要的能量也能達到靜電防護的目的。
對于低頻信號，如 GPIO 輸入，ADC，音頻輸入可以用 1k+1000PF 的電容來做靜電防護，成本可以忽略，性能不比壓敏電阻差，如果用 1K+50PF 的壓敏電阻（下面講的復合防護措施），效果更好，經(jīng)驗證明這樣防護效果有時超過 TVS。
對于射頻天線的微波信號，如果用 TVS 管，壓敏等容性器件來做靜電防護，射頻信號會被衰減，因此要求 TVS 的電容很低，這樣增加 ESD 措施的成本。對于微波信號可以對地并聯(lián)一個幾十 nH 的電感來為靜電提供一個放電通道，對微波信號幾乎沒有影響，對于 900MHZ 和 1800MHz 的手機經(jīng)常用 22nH 的電感。這樣能把靜電主要能量頻譜上的能量吸收掉很多。
4、復合防護
有一種器件叫 EMI filter，他有很好的 ESD 防護效果，如圖。EMI filter 也有基于 TVS 管的和基于壓敏電阻的，前者效果好，但很貴，后者廉價，一般 4 路基于壓敏電阻的 EMI 。
實際應用中可以用下面的一個電阻+一個壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能，又有壓敏電阻的功能，還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性價比最好的防護方式，對于高阻信號可以采用 1K 電阻+50PF 壓敏；對于耳機等音頻輸出信號可以采用 100 歐電阻+壓敏電阻；對于 TP 信號串聯(lián)電阻不能太大否則影響 TP 的線性，可以采用 10 歐電阻。雖然電阻小了，低通濾波器效果已經(jīng)沒有了，但限流作用還是很重要的。
5、增加吸收回路
可以在敏感信號附件增加地的漏銅，來吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。在信號線上放置尖端放電點（火花隙）在山寨手機設計中也經(jīng)常應用。
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