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  • 開關(guān)電源MOS管損耗如何處理
    • 發(fā)布時間:2020-11-03 15:55:36
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    開關(guān)電源,又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。開關(guān)電源利用的切換晶體管多半是在全開模式及全閉模式之間切換,這兩個模式都有低耗散的特點,切換之間的轉(zhuǎn)換會有較高的耗散,但時間很短,所以開關(guān)電源比較節(jié)省能源,產(chǎn)生廢熱較少。開關(guān)電源的高轉(zhuǎn)換效率是其一大優(yōu)點,而開關(guān)電源工作頻率高,也可以使用小尺寸、輕重量的變壓器,開關(guān)電源重量也會比較輕。開關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化控制、軍工設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明等領(lǐng)域。
    開關(guān)電源MOS管
    電源插座
    開關(guān)電源的損耗不僅有待機(jī)損耗、使用損耗等等,其中也包括開關(guān)電源MOS管損耗。而開關(guān)電源MOS管損耗具體有哪一些呢?小課堂這就和大家來細(xì)說。
    開關(guān)電源MOS管
    損耗低的開關(guān)電源
    開關(guān)損耗
    開關(guān)損耗包括傳導(dǎo)損耗和截止損耗。
    1、導(dǎo)通損耗是指功率晶體管從截止到接通的功率損耗。截止損耗是指功率晶體管從接通到斷開時產(chǎn)生的功率損耗。
    2、開關(guān)損耗,包括導(dǎo)通損耗和匝間損耗,是硬開關(guān)和軟開關(guān)中經(jīng)常討論的問題。
    所謂導(dǎo)通損耗(turn on loss)是指當(dāng)非理想開關(guān)接通時,開關(guān)電壓不會立即降到零,而是有一個下降時間。同時,其電流不會立即上升到負(fù)載電流,但也有上升時間。在這段時間內(nèi),開關(guān)管的電流和電壓有一個重疊區(qū),會產(chǎn)生損耗,即導(dǎo)通損耗。通過這個類比,我們可以得到關(guān)斷損耗的原因,這里不再贅述。開關(guān)損耗的另一個含義是在開關(guān)電源中,當(dāng)開關(guān)大功率MOS晶體管時,寄生電容需要充放電,這也會造成損耗。
    MOS晶體管損耗的部分組成。
    1、導(dǎo)通損耗PON
    導(dǎo)通損耗是指MOSFET完全打開后,負(fù)載電流IDS(On)(T)對電阻RDS(On)的電壓降引起的損耗。
    導(dǎo)通損耗計算:首先通過計算得到IDS(on)(T)的函數(shù)表達(dá)式,并計算其有效值IDS(on)RMS。然后按如下公式計算:PON=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×don注:計算IDS(on)RMS的周期僅為on-time ton,而不是整個工作周期ts;RDS(on)隨IDS(on)(T)值和設(shè)備節(jié)點溫度而變化,此時的原則是根據(jù)規(guī)范找到接近預(yù)期工況的RDS(on)值(即乘以規(guī)范中提供的溫度系數(shù)K)。
    2、截止損耗poff
    截止損耗是指MOSFET完全切斷后,漏電流IDSS在漏源電壓VDS(off)應(yīng)力作用下產(chǎn)生的損耗。
    截止損耗計算:首先通過計算得到MOSFET的漏源電壓VDS(off),然后找到器件規(guī)范中提供的IDSS,然后按如下公式計算:poff=VDS(off)×IDSS×(1-don)注:IDSS會根據(jù)VDS(off)而變化,規(guī)范中提供的這個值是近似V(BR)DSS條件下的參數(shù)。如果計算出的漏源電壓VDS(off)很大,接近V(BR)DSS,則可以直接引用該值。如果很小,可以取零值,即忽略此項。
    3、驅(qū)動損耗PGs
    驅(qū)動損耗是指由柵極接收驅(qū)動功率而引起的損耗。
    計算驅(qū)動損耗,在確定驅(qū)動電源電壓VGS后,可按以下公式計算:PGs=VGS×QG×FS注:QG為總驅(qū)動功率,可通過器件規(guī)格找到。
    4、COS電容器放電損耗PDS
    COS電容器的放電損耗是指在導(dǎo)通過程中,MOS輸出電容器漏源處存儲的電場的放電損耗。
    coss電容器放電損耗的計算:首先必須計算或預(yù)測啟動前的VDS,然后按以下公式計算:Pds=1/2×VDS(off-end)2×coss×fs注:COS是MOSFET的輸出電容,一般可以等于CDs。這個值可以在設(shè)備規(guī)范中找到。
    5、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗
    體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗是指MOS中寄生二極管正向壓降在攜帶電流時所造成的損耗。
    在體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計算中,有必要對二極管的寄生損耗進(jìn)行計算。公式如下:Pd_f=IF×VDF×tx×fs,式中:IF為二極管載流,VDF為二極管正向?qū)▔航担瑃x為二極管在一個周期內(nèi)的載流時間。注:器件的結(jié)溫和載流不同。根據(jù)實際應(yīng)用環(huán)境,可以在規(guī)范中找到盡可能接近的值。
    開關(guān)電源MOS管
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