MPS提供可擴(kuò)展的均流電子熔絲解決方案，內(nèi)置MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），電流和溫度檢測(cè)，軟啟動(dòng)斜坡控制和保護(hù)功能。
在典型的熱插拔或電子保險(xiǎn)絲（電子保險(xiǎn)絲）應(yīng)用中，在選擇MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）時(shí)必須非常小心，以確保在軟啟動(dòng)（SS）轉(zhuǎn)向期間不超過(guò)器件的安全工作區(qū)（SOA） - 上。即使多個(gè)MOSFET并聯(lián)，軟啟動(dòng)條件也會(huì)產(chǎn)生大量的熱應(yīng)力。
通常，在熱插拔和電子熔絲應(yīng)用中使用分立MOSFET時(shí)，假設(shè)只有一個(gè)MOSFET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳導(dǎo)整個(gè)軟啟動(dòng)電流。這是由于每個(gè)MOSFET的柵極閾值電壓的變化。因此，即使可能存在多個(gè)并聯(lián)的MOSFET，所有功率損耗都在一個(gè)器件中。這需要過(guò)大的MOSFET額定值和封裝尺寸，從而推動(dòng)PCB面積。對(duì)于典型的熱插拔/電子熔斷器應(yīng)用，需要精密電流檢測(cè)電阻和控制器來(lái)提供SS時(shí)序，溫度保護(hù)和過(guò)流保護(hù)（OCP）。
的MPS MP5921提供了一個(gè)簡(jiǎn)單且可堆疊的積木一個(gè)創(chuàng)新的熱插拔/ e熔絲應(yīng)用。MP5921具有內(nèi)置MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），電流檢測(cè)，溫度檢測(cè)，軟啟動(dòng)斜坡控制和高級(jí)保護(hù)功能。采用先進(jìn)的單片工藝，可實(shí)現(xiàn)熱插拔和電子熔絲解決方案的用戶(hù)友好型實(shí)現(xiàn)（圖1）。
圖1：熱插拔/電子熔絲應(yīng)用組件。
MP5921采用先進(jìn)的單片工藝，在軟啟動(dòng)過(guò)程中主動(dòng)監(jiān)控和驅(qū)動(dòng)內(nèi)部MOSFET，以確保MOSFET的SOA。利用這種單片工藝，MP5921可以精確測(cè)量流經(jīng)內(nèi)部MOSFET的電流。
由于能夠監(jiān)控通過(guò)內(nèi)部MOSFET的電流，并聯(lián)連接的多個(gè)MP5921器件可在軟啟動(dòng)條件下主動(dòng)平衡流經(jīng)每個(gè)器件的電流。這可確保每個(gè)器件均等地承載軟啟動(dòng)電流，并且沒(méi)有一個(gè)器件承載完整的軟啟動(dòng)負(fù)載電流。由于軟啟動(dòng)電流在器件之間平行平衡，因此極大地降低了違反MOSFET的SOA的風(fēng)險(xiǎn)，并且熱能更均勻地分布在PCB上。
圖2顯示了在帶DC負(fù)載的軟啟動(dòng)期間并聯(lián)的三個(gè)MP5921器件的電流共享。并聯(lián)的所有三個(gè)器件均勻地共享軟啟動(dòng)負(fù)載電流。
圖2：三個(gè)并聯(lián)的MP5921器件。
如果將各個(gè)電流的走線設(shè)置在同一原點(diǎn)上，則可以看出它們完全重疊（圖3）。
圖3：具有相同原點(diǎn)的電流。
MP5921可以擴(kuò)展，以支持熱插拔和電子熔絲解決方案所需的任何電流范圍。MP5921的額定電流為60 A，采用4 x 5 mm封裝，提供極其密集的熱插拔/電子熔斷器解決方案。每個(gè)MP5921都具有內(nèi)置保護(hù)功能，可監(jiān)控?fù)p壞的MOSFET，內(nèi)部MOSFET的過(guò)溫情況，軟啟動(dòng)看門(mén)狗定時(shí)器和過(guò)流保護(hù)。
MP5921還具有內(nèi)置短路保護(hù)（SCP）功能，可在短時(shí)間檢測(cè)的200 ns內(nèi)禁用內(nèi)部MOSFET。這種快速禁用功能可防止在發(fā)生輸出短路的PCB上產(chǎn)生大量電流。
MP5921為空間關(guān)鍵型設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)大且用戶(hù)友好的解決方案，可擴(kuò)展以滿足所有類(lèi)型的熱插拔/電子熔斷器應(yīng)用的設(shè)計(jì)要求。
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