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    • 發(fā)布時(shí)間:2020-01-14 15:06:33
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    N溝道MOS管場(chǎng)效應(yīng)管是什么
    N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子),故在UCs=0時(shí),這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道(稱(chēng)為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的.
    N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子),故在UCs=0時(shí),N溝道MOS管場(chǎng)效應(yīng)管這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道(稱(chēng)為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小。增大。反之UCs為負(fù)時(shí),溝道中感應(yīng)的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大。減少。當(dāng)UCS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí),導(dǎo)電溝道消失。趨于零,管子截止,故稱(chēng)為耗盡型。
    N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOSFET結(jié)構(gòu)類(lèi)似,只有一點(diǎn)不同,就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時(shí),溝道已經(jīng)存在。該N溝道是在制造過(guò)程中應(yīng)用離子注入法預(yù)先在襯底的表面,在D、S之間制造的,稱(chēng)之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1.(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入N溝道MOS管場(chǎng)效應(yīng)管了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS=0時(shí),這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當(dāng)VGS>0時(shí),將使ID進(jìn)一步增加。VGS<0時(shí),跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對(duì)應(yīng)ID=0的VGS稱(chēng)為夾斷電壓,用符號(hào)VGS(off)表示,有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性.
    耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,是在制造過(guò)程中,預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,因此,在UGS=0時(shí),這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子,形成N型導(dǎo)電溝道。
    當(dāng)UDS>0時(shí),將產(chǎn)生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng),使N溝道變窄,從而使ID減小。當(dāng)UGS更負(fù),達(dá)到某一數(shù)值時(shí)溝道消失,ID=0。使ID=0的UGS我們也稱(chēng)為夾斷電壓,仍用UP表示。UGS
    據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指,當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,加上準(zhǔn)確的VGS時(shí),能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。
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