偏置電路有兩種，即電流偏置電路和電壓偏置電路。設(shè)計(jì)CMOS模擬電路時(shí)最常用的是電流偏置電路。這是由于MOS晶體管的跨導(dǎo)gm和輸出電阻ro是決定電路工作（放大增益和頻率特性）的基本參數(shù)，如式(7.1)所示，這一點(diǎn)可以用電流I簡(jiǎn)單地表現(xiàn)出來(lái)：
式中，β是溝道長(zhǎng)寬比有關(guān)的參量；入是ID-VDS特性的斜率。
理想的電流偏置源電路是在工作環(huán)境溫度、電源電壓、輸出電壓有變動(dòng)的情況下仍然能夠持續(xù)提供恒定電流的電路。
首先，引見(jiàn)對(duì)外部提供的參考電流進(jìn)行復(fù)制、在電路必要的中央制造電流源的方法。為了復(fù)制電流，需求監(jiān)視參考電流的機(jī)構(gòu)。最簡(jiǎn)單的方法就是二極管銜接的MOS晶體管。如圖7.1所示，假設(shè)運(yùn)用二極管銜接器件，那么參考電流Iref就被變換為柵極電壓VGS：
考慮到電流開端流過(guò)MOS晶體管時(shí)的柵極電壓VGS，就是閾值電壓VT，可以看出，過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓△ov是為了流過(guò)電流Iref，在柵極上額外多加的電壓。思索到Mos晶體管的柵極電流是由柵極—源極間電壓決議的（前提是工作在飽和區(qū)VDS
CMOS模擬電路巾有兩種電流源：給附加的電子電路提供電流的電流源，以及反過(guò)來(lái)從電子電路引出電流的電流源（也叫做電流吸收）。這兩種電流源可以用上述方法制造，不過(guò)前者的電流源電路用p溝MOS晶體管完成，后者用n溝MOS晶體管完成。運(yùn)用這種方法，就能夠在模擬電路的恣意處制造甚毫幾個(gè)電流源。
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