常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀？
當vGS數(shù)值較小，吸收電子的才能不強時，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)，vGS增加時，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當vGS到達某一數(shù)值 時，這些電子在柵極左近的P襯底外表便構(gòu)成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間構(gòu)成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，構(gòu)成反型層。
vGS越大，作用于半導(dǎo)體外表的電場就越強，吸收到P襯底外表的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。
即N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能構(gòu)成導(dǎo)電溝道，管子處于截止狀態(tài)。
只要當vGS≥VT時，才有溝道構(gòu)成。溝道構(gòu)成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。
但是Vgs繼續(xù)加大，比方IRFPS40N60K
Vgs=100V時
Vds=0和Vds=400V，兩種狀況下，對管子功用帶來什么影響，若燒壞，緣由和內(nèi)部機理過程是怎樣的呢？
Vgs增大會減小Rds（on）減小開關(guān)損耗，但是同時會增大Qg，使得開啟損耗變大，影響效率
1）MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，抵達維持電壓Vth，MOSFET 開端導(dǎo)電；
2）MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大；
Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會持續(xù)積聚。
3）MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動電壓對Millier 電容停止充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減??；
4）MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一同由外部驅(qū)動電壓充電，GS 電容的電壓上升；
電壓測量
N溝道的有國產(chǎn)的3D01，4D01，日產(chǎn)的3SK系列。G極（柵極）的確定：利用萬用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V，即顯示“1”，此腳即為柵極G。再交換表筆測量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極（漏極），紅表筆接的是S極（源極）。
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